BC817-40,215 vs BC817-40 So sánh

So sánh chi tiết song song của BC817-40,215 bằng Nexperia và BC817-40 bằng Nexperia. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Nexperia
BC817-40,215 BC817-40,215 - 45V 500mA NPN BJT SOT-23 | Nexperia

BC817-40,215 - 45V 500mA NPN BJT SOT-23 | Nexperia

BC817-40,215 ✓ Hoạt động
Nexperia
BC817-40 BC817-40 - 45V 500mA NPN Transistor SOT-23 | Nexperia

BC817-40 - 45V 500mA NPN Transistor SOT-23 | Nexperia

BC817-40 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BC817-40,215 BC817-40
Thương hiệu Nexperia Nexperia
Danh mục Transistors Transistors
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu transitor NPN Bipolar (BJT) NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
Hộp SOT-23 (TO-236AB) SOT-23 (TO-236AB), 3 pins
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
N Nap-Emit (Vceo) 45 V 45 V
N Nap (Vcbo) 50 V 50 V
N Nap-cơ sở (Vebo) 5 V 5 V
Continuous Collector Current (IC) 500 mA 500 mA
Peak Collector Current (ICM) [DATA_NEEDED: peak collector current] [DATA_NEEDED: ICM value]
Tiêu hao điện năng (Ptot) 250 mW —
Tần số chuyển đổi (ft) 100 MHz 100 MHz
DC Current Gain (hFE) - BC817-40 bin 250 to 600 (at IC=100mA, VCE=1V) —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -65 C to +150 C (TJ) —
JEDEC Package Standard TO-236AB —
Pin Configuration Pin 1 Base / Pin 2 Emitter / Pin 3 Collector —
RoHS Compliance Compliant —
Lead-Free Reflow Yes (260 C peak per J-STD-020) —
Total Power Dissipation (Ptot) — 310 mW
DC Current Gain (hFE) - -40 bin — 250 to 600 (at 100 mA, 1 V)
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCEsat) — 700 mV max (at 500 mA, 50 mA base)
Base-Emitter Voltage (VBE) — [DATA_NEEDED: VBE typical]
Nhiệt độ mối nối hoạt động — -65 C to +150 C
Cấp MSL — 1
Trạng thái RoHS — Compliant
Complementary PNP Part — BC807-40

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá