BFU520XR vs BFU520AR مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BFU520XR بواسطة NXP Semiconductors و BFU520AR بواسطة NXP Semiconductors. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BFU520XR | BFU520AR |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| الفئة | Transistors | Transistors |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Polarity | NPN | NPN |
| Technology | Silicon wideband RF BJT | — |
| Family | BFU5 | — |
| Maximum Operating Frequency | 2 GHz | — |
| Continuous Collector Current | 0.05 A (50 mA) | — |
| Application Band | L Band | — |
| Number of Elements | 1 | — |
| العلبة | SOT143R (4-pin, plastic, dual emitter) | SOT-23 (TO-236AB), 3-pin |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single NPN, dual emitter pins | — |
| Typical Application | High speed, low noise amplification | — |
| جهد المجمع-الباعث (Vceo) | [DATA_NEEDED: VCEO] | — |
| تردد الانتقال (ft) | [DATA_NEEDED: fT] | — |
| Noise Figure NF | [DATA_NEEDED: NF] | — |
| Total Power Dissipation Ptot | [DATA_NEEDED: Ptot] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature] | -40C to +150C |
| Ordering Suffix | XR | — |
| نوع الترانزستور | — | NPN wideband silicon RF BJT |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (VCEO) | — | 12 V |
| Continuous Collector Current (IC) | — | 30 mA |
| تردد الانتقال (ft) | — | 10 GHz |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | 450 mW |
| Qualification | — | AEC-Q101 (automotive qualified per distributor listing) |
| Product Family | — | BFU5 wideband RF transistor family |
| Intended Application Band | — | Small signal to medium power up to 2 GHz |
| Noise Figure | — | [DATA_NEEDED: noise figure] |
| DC Current Gain (hFE) | — | [DATA_NEEDED: hFE] |
| حالة RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | — | Reel (R suffix, tape and reel) |