BSC019N06NSATMA1 vs IPC50N04S5L5R5ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC019N06NSATMA1 بواسطة Infineon و IPC50N04S5L5R5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC019N06NSATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC019N06NSATMA1 —
Technology / Family OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] —
On-State Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 1.95 mΩ (typ) —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) Typ 3.3 V —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 136 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (junction) -55 °C to +175 °C
العلبة PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 —
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
حالة RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Avalanche Rated Yes —
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Mode — Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 50 A
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 5.5 mΩ
Gate Threshold VGS(th) — Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS)
Power Dissipation (Tc) — 42 W
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC — 3.6 K/W
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1
Peak Reflow Temperature — 260 °C
Avalanche Rating — 100 % Avalanche Tested
RoHS / REACH — RoHS Compliant (Green Product)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر