BSC019N06NSATMA1 vs IPC50N04S5L5R5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC019N06NSATMA1 بذریعہ Infineon اور IPC50N04S5L5R5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC019N06NSATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC019N06NSATMA1 —
Technology / Family OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] —
On-State Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 1.95 mΩ (typ) —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) Typ 3.3 V —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 136 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (junction) -55 °C to +175 °C
پیکیج PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 —
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Lead-Free Yes —
Avalanche Rated Yes —
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Mode — Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 50 A
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 5.5 mΩ
Gate Threshold VGS(th) — Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS)
Power Dissipation (Tc) — 42 W
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC — 3.6 K/W
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1
Peak Reflow Temperature — 260 °C
Avalanche Rating — 100 % Avalanche Tested
RoHS / REACH — RoHS Compliant (Green Product)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں