BSC019N06NSATMA1 vs IPC50N04S5L5R5ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC019N06NSATMA1 מאת Infineon ו IPC50N04S5L5R5ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BSC019N06NSATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC019N06NSATMA1 —
Technology / Family OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] —
On-State Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 1.95 mΩ (typ) —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) Typ 3.3 V —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 136 W —
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +150C (junction) -55 °C to +175 °C
מארז PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL 1 —
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
סטטוס RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Avalanche Rated Yes —
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET
Mode — Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 50 A
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 5.5 mΩ
Gate Threshold VGS(th) — Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS)
Power Dissipation (Tc) — 42 W
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC — 3.6 K/W
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1
Peak Reflow Temperature — 260 °C
Avalanche Rating — 100 % Avalanche Tested
RoHS / REACH — RoHS Compliant (Green Product)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר