BSC019N08NS5ATMA1 vs BSC014NE2LSIATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC019N08NS5ATMA1 بواسطة Infineon و BSC014NE2LSIATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC019N08NS5ATMA1 | BSC014NE2LSIATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench) | N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V) |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 80 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 28 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 237 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 1.9 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.0 V | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | — |
| Power Dissipation (TA=25C) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 214 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 C to +150 C | — |
| العلبة | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 25 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 33 A |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | [DATA_NEEDED: Tc condition rating] |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | — | 100 A |
| On-State Resistance RDS(on) | — | 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 74 W |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55 °C to +150 °C |
| Lead-Free | — | Yes |