BSC019N08NS5ATMA1 vs BSF134N10NJ3GXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC019N08NS5ATMA1 بواسطة Infineon و BSF134N10NJ3GXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC019N08NS5ATMA1 BSF134N10NJ3GXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench) Trench-gate OptiMOS planar
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 80 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 28 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 237 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 1.9 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.0 V —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Power Dissipation (TA=25C) 3 W —
Power Dissipation (TC=25C) 214 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +150 C -55°C to +150°C (TJ max) [DATA_NEEDED: exact Min/Max from datasheet]
العلبة PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) MG-WDSON-2 (CanPAK M)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
حالة RoHS Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes —
Series — OptiMOS 100 V
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 9 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 40 A
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 2.2 W
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 43 W
Configuration — Single with built-in diode
Terminal Position — Bottom
Terminal Finish — Silver Nickel
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
RDS(on) at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max value]
Body Diode Reverse Recovery — [DATA_NEEDED: trr value]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر