BSC020N03LSGATMA1 vs BSC030N03LSGATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC020N03LSGATMA1 بواسطة Infineon و BSC030N03LSGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC020N03LSGATMA1 BSC030N03LSGATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 OptiMOS 3
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 28 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1 V to 2.2 V (typical range, per datasheet) —
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V approximately 2.0 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 96 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +150 C (junction) —
العلبة / الحالة PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5 mm x 6 mm) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel —
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon datasheet) 1
Drain-Source Voltage (Vdss) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C — 100 A
Continuous Drain Current (Id) @ Ta=25C — 23 A
RDS(on) Max @ VGS=10V — 3 mOhm
RDS(on) Max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (Vgs th) Typ — 2.2 V
Gate Charge (Qg) Typ @ VGS=15V — 55 nC
Output Charge (Qoss) — 66 pF
Input Capacitance (Ciss) Typ — 4.3 nF
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 69 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55C to +150C
العلبة — PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
Avalanche Rated — Yes (100% tested)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر