BSC020N03LSGATMA1 vs BSC030N03LSGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC020N03LSGATMA1 tarafından Infineon ve BSC030N03LSGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC020N03LSGATMA1 BSC030N03LSGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 OptiMOS 3
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 28 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1 V to 2.2 V (typical range, per datasheet) —
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V approximately 2.0 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 96 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C (junction) —
Paket / Kas PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5 mm x 6 mm) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon datasheet) 1
Drain-Source Voltage (Vdss) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C — 100 A
Continuous Drain Current (Id) @ Ta=25C — 23 A
RDS(on) Max @ VGS=10V — 3 mOhm
RDS(on) Max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (Vgs th) Typ — 2.2 V
Gate Charge (Qg) Typ @ VGS=15V — 55 nC
Output Charge (Qoss) — 66 pF
Input Capacitance (Ciss) Typ — 4.3 nF
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 69 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +150C
Paket — PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
Avalanche Rated — Yes (100% tested)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin