BSC020N03LSGATMA1 vs BSC030N03LSGATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC020N03LSGATMA1 द्वारा Infineon और BSC030N03LSGATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSC020N03LSGATMA1 BSC020N03LSGATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS 3, 100A TDSON-8 | Infineon

BSC020N03LSGATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS 3, 100A TDSON-8 | Infineon

BSC020N03LSGATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03LSGATMA1 - 30V 100A 3mOhm OptiMOS 3 N-FET | Infineon

BSC030N03LSGATMA1 - 30V 100A 3mOhm OptiMOS 3 N-FET | Infineon

BSC030N03LSGATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSC020N03LSGATMA1 BSC030N03LSGATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 OptiMOS 3
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 28 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1 V to 2.2 V (typical range, per datasheet) —
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V approximately 2.0 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 96 W —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 C to +150 C (junction) —
पैकेज / केस PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5 mm x 6 mm) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
MSL स्तर 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon datasheet) 1
Drain-Source Voltage (Vdss) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C — 100 A
Continuous Drain Current (Id) @ Ta=25C — 23 A
RDS(on) Max @ VGS=10V — 3 mOhm
RDS(on) Max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (Vgs th) Typ — 2.2 V
Gate Charge (Qg) Typ @ VGS=15V — 55 nC
Output Charge (Qoss) — 66 pF
Input Capacitance (Ciss) Typ — 4.3 nF
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 69 W
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55C to +150C
पैकेज — PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
Avalanche Rated — Yes (100% tested)

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