BSC020N03LSGATMA1 vs BSC050N03LSGATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC020N03LSGATMA1 بواسطة Infineon و BSC050N03LSGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
BSC050N03LSGATMA1 BSC050N03LSGATMA1 - 30V 80A 5mOhm OptiMOS 3 N-FET | Infineon

BSC050N03LSGATMA1 - 30V 80A 5mOhm OptiMOS 3 N-FET | Infineon

BSC050N03LSGATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل BSC020N03LSGATMA1 BSC050N03LSGATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 28 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1 V to 2.2 V (typical range, per datasheet) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V approximately 2.0 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 96 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +150 C (junction) -55 C to +150 C
العلبة / الحالة PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5 mm x 6 mm) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel —
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon datasheet) 1
Part Number — BSC050N03LSGATMA1
Technology — OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 80 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 18 A
On-State Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V — 5 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc — 50 W
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
العلبة — PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
Channel Type — N-Channel

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر