BSC020N03LSGATMA1 vs BSC050N03LSGATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC020N03LSGATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC050N03LSGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC050N03LSGATMA1 BSC050N03LSGATMA1 - 30V 80A 5mOhm OptiMOS 3 N-FET | Infineon

BSC050N03LSGATMA1 - 30V 80A 5mOhm OptiMOS 3 N-FET | Infineon

BSC050N03LSGATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC020N03LSGATMA1 BSC050N03LSGATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 28 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1 V to 2.2 V (typical range, per datasheet) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V approximately 2.0 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 96 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +150 C (junction) -55 C to +150 C
پیکیج / کیس PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5 mm x 6 mm) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon datasheet) 1
Part Number — BSC050N03LSGATMA1
Technology — OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 80 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 18 A
On-State Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V — 5 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc — 50 W
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
پیکیج — PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
Channel Type — N-Channel

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں