BSC027N10NS5ATMA1 vs BSC040N08NS5ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC027N10NS5ATMA1 بواسطة Infineon و BSC040N08NS5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC027N10NS5ATMA1 BSC040N08NS5ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة NRND نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC027N10NS5ATMA1 BSC040N08NS5ATMA1
Technology OptiMOS 5 (100V) OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 80 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 23 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 194 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 2.7 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 214 W —
العلبة PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: Tj min/max] —
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Qualification Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately) —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Maximum Drain Current (ID, Tc=25C, package-limited) — 121 A
On-Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) — 4 mOhm
Power Dissipation (Ta=25C, 1in² PCB) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc=25C) — 104 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 C to +175 C
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Primary Application — Synchronous rectification in telecom and server power supplies

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر