BSC030N03LSGATMA1 vs BSC120N03LSGATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC030N03LSGATMA1 بواسطة Infineon و BSC120N03LSGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC030N03LSGATMA1 BSC120N03LSGATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C 100 A —
Continuous Drain Current (Id) @ Ta=25C 23 A —
RDS(on) Max @ VGS=10V 3 mOhm —
RDS(on) Max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (Vgs th) Typ 2.2 V —
Gate Charge (Qg) Typ @ VGS=15V 55 nC —
Output Charge (Qoss) 66 pF —
Input Capacitance (Ciss) Typ 4.3 nF —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 69 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +150C —
العلبة PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-5 (SuperSO-8, 5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Rated Yes (100% tested) —
Product Family — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 12 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 39 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V — 12 mOhm (typical)
On-State Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 28 W
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +150C (TJ)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر