BSC030N03LSGATMA1 vs BSC120N03LSGATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC030N03LSGATMA1 द्वारा Infineon और BSC120N03LSGATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03LSGATMA1 - 30V 100A 3mOhm OptiMOS 3 N-FET | Infineon

BSC030N03LSGATMA1 - 30V 100A 3mOhm OptiMOS 3 N-FET | Infineon

BSC030N03LSGATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSC120N03LSGATMA1 BSC120N03LSGATMA1 - 30V 39A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon

BSC120N03LSGATMA1 - 30V 39A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon

BSC120N03LSGATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSC030N03LSGATMA1 BSC120N03LSGATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C 100 A —
Continuous Drain Current (Id) @ Ta=25C 23 A —
RDS(on) Max @ VGS=10V 3 mOhm —
RDS(on) Max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (Vgs th) Typ 2.2 V —
Gate Charge (Qg) Typ @ VGS=15V 55 nC —
Output Charge (Qoss) 66 pF —
Input Capacitance (Ciss) Typ 4.3 nF —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 69 W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55C to +150C —
पैकेज PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-5 (SuperSO-8, 5x6 mm)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
RoHS स्थिति Compliant Compliant
MSL स्तर 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Rated Yes (100% tested) —
Product Family — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 12 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 39 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V — 12 mOhm (typical)
On-State Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 28 W
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55C to +150C (TJ)

डेटाशीट और संसाधन

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