BSC040N08NS5ATMA1 vs BSC027N10NS5ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC040N08NS5ATMA1 بواسطة Infineon و BSC027N10NS5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC040N08NS5ATMA1 BSC027N10NS5ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط NRND
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC040N08NS5ATMA1 BSC027N10NS5ATMA1
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5 (100V)
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Maximum Drain Current (ID, Tc=25C, package-limited) 121 A —
On-Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) 4 mOhm —
Power Dissipation (Ta=25C, 1in² PCB) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc=25C) 104 W —
العلبة PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 C to +175 C —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Primary Application Synchronous rectification in telecom and server power supplies —
Channel Type — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 23 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 194 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.7 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 214 W
نطاق درجة حرارة التشغيل — [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Qualification — Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر