BSC066N06NSATMA1 vs BSC0902NSIATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC066N06NSATMA1 بواسطة Infineon و BSC0902NSIATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC066N06NSATMA1 BSC0902NSIATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 64 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C 45 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 256 A [DATA_NEEDED: IDM]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 6.6 mΩ (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V (typ) —
Total Gate Charge (Qg) 26 nC (typ) —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 46 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.5 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) 1.3 °C/W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55°C to +150°C —
العلبة PG-TDSON-8-6 (TDSON EP) PG-TDSON-8-6 (TDSON-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
حالة RoHS Compliant Compliant
Technology OptiMOS 5 60 V trench-gate —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 30V
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 23 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.8 mOhm
Gate Charge QG(0V..10V) — 24 nC
Output Charge QOSS — 17 nC
Power Dissipation (TA) — 2.5 W
Power Dissipation (TC) — 48 W
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +150C (junction)
Built-in Diode — Yes (single with built-in diode)
Lead-Free — Yes
خالٍ من الهالوجين — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر