BSC070N10NS5ATMA1 vs ISZ230N10NM6ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC070N10NS5ATMA1 بواسطة Infineon و ISZ230N10NM6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC070N10NS5ATMA1 | ISZ230N10NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench) | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 80 A | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 7 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | 20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg] | — |
| Power Dissition at TC=25C (Ptot) | 83 W | — |
| Power Dissipation at TA=25C | 2.5 W | — |
| نطاق درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 C to +150 C | — |
| العلبة | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Typical Application | Synchronous rectification in SMPS | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 7.7 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 31 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 23 mΩ (typ, ID=10A) |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 3.3 V (typ at 13 µA) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 °C to +150 °C (junction) |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V |
| Family | — | OptiMOS 6 (100V class) |