BSC077N12NS3GATMA1 vs BSC036NE7NS3GATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC077N12NS3GATMA1 بواسطة Infineon و BSC036NE7NS3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC077N12NS3GATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 3 (120 V) —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 75 V
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13.4 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 98 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] 400 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 7.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation (PD) at Tc 139 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +150C —
العلبة PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 8 —
مستوى MSL 1 1
حالة RoHS Compliant ROHS3 Compliant
Automotive Grade Yes (per Infineon part number suffix / datasheet) —
Series — OptiMOS 3
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) — 3.6 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 2.6 V
Total Gate Charge (Qg typ @ VGS=10V) — 45 nC
Rise Time (tr typ) — 13 ns
Fall Time (tf typ) — 11 ns
Power Dissipation (PD max, Tc=25C) — 156 W
Power Dissipation (Ta=25C) — 2.5 W
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — 0.8 C/W
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +175C

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر