BSC0902NSIATMA1 vs BSC066N06NSATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC0902NSIATMA1 بواسطة Infineon و BSC066N06NSATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC0902NSIATMA1 BSC066N06NSATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 30V —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 23 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] 256 A
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 2.8 mOhm —
Gate Charge QG(0V..10V) 24 nC —
Output Charge QOSS 17 nC —
Power Dissipation (TA) 2.5 W —
Power Dissipation (TC) 48 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (junction) —
العلبة PG-TDSON-8-6 (TDSON-8) PG-TDSON-8-6 (TDSON EP)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Built-in Diode Yes (single with built-in diode) —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
خالٍ من الهالوجين Yes —
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 64 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — 45 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 6.6 mΩ (max)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.7 V (typ)
Total Gate Charge (Qg) — 26 nC (typ)
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 46 W
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 2.5 W
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) — 1.3 °C/W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55°C to +150°C
Technology — OptiMOS 5 60 V trench-gate

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر