BSC0902NSIATMA1 vs BSC066N06NSATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC0902NSIATMA1 द्वारा Infineon और BSC066N06NSATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS MOSFET, PG-TDSON-8 | Infineon

BSC0902NSIATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS MOSFET, PG-TDSON-8 | Infineon

BSC0902NSIATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSC066N06NSATMA1 BSC066N06NSATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 6.6mΩ OptiMOS | Infineon

BSC066N06NSATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 6.6mΩ OptiMOS | Infineon

BSC066N06NSATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSC0902NSIATMA1 BSC066N06NSATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 30V —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 23 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] 256 A
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 2.8 mOhm —
Gate Charge QG(0V..10V) 24 nC —
Output Charge QOSS 17 nC —
Power Dissipation (TA) 2.5 W —
Power Dissipation (TC) 48 W —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +150C (junction) —
पैकेज PG-TDSON-8-6 (TDSON-8) PG-TDSON-8-6 (TDSON EP)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Built-in Diode Yes (single with built-in diode) —
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
हैलोजन फ्री Yes —
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 64 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — 45 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 6.6 mΩ (max)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.7 V (typ)
Total Gate Charge (Qg) — 26 nC (typ)
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 46 W
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 2.5 W
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) — 1.3 °C/W
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55°C to +150°C
Technology — OptiMOS 5 60 V trench-gate

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