BSC0902NSIATMA1 vs BSC084P03NS3GATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC0902NSIATMA1 بواسطة Infineon و BSC084P03NS3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC0902NSIATMA1 BSC084P03NS3GATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 30V —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 23 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 2.8 mOhm —
Gate Charge QG(0V..10V) 24 nC —
Output Charge QOSS 17 nC —
Power Dissipation (TA) 2.5 W —
Power Dissipation (TC) 48 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (junction) -55C to +150C
العلبة PG-TDSON-8-6 (TDSON-8) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Built-in Diode Yes (single with built-in diode) —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
خالٍ من الهالوجين Yes —
Polarity / Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (Ta) — 14.9 A
Continuous Drain Current (Tc) — 78.6 A
Rds(on) max @ VGS = -10 V — 6.1 mOhm
Rds(on) max @ VGS = -2.5 V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at 2.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — -1.7 V
Total Gate Charge (Qg) — 58 nC @ VGS = -10 V
Input Capacitance (Ciss) — 3.19 nF
Output Capacitance (Coss) — 110 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 1.52 nF
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 69 W
Technology Family — OptiMOS P3

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر