BSC0911NDATMA1 vs BSC360N15NS3GATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC0911NDATMA1 بواسطة Infineon و BSC360N15NS3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
BSC360N15NS3GATMA1 - 150V 36mOhm N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon
BSC360N15NS3GATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | BSC0911NDATMA1 | BSC360N15NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 25V | — |
| Configuration | Dual N-Channel (2 N-CH) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 18 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 30 A | — |
| Power Dissipation (PD) | 1 W | — |
| العلبة | PG-TISON-8 (8-PowerTDFN) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C (junction) | — |
| Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Technology | OptiMOS trench MOSFET | OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) |
| Gate Threshold (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Part Number | — | BSC360N15NS3GATMA1 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 33 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 36 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 74 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS th) typ | — | 3.0 V |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55°C to +150°C (junction) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |