BSC0911NDATMA1 vs BSC360N15NS3GATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC0911NDATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC360N15NS3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
BSC360N15NS3GATMA1 - 150V 36mOhm N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon
BSC360N15NS3GATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC0911NDATMA1 | BSC360N15NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 25V | — |
| Configuration | Dual N-Channel (2 N-CH) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 18 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 30 A | — |
| Power Dissipation (PD) | 1 W | — |
| پیکیج | PG-TISON-8 (8-PowerTDFN) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -55C to +150C (junction) | — |
| Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Technology | OptiMOS trench MOSFET | OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) |
| Gate Threshold (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Part Number | — | BSC360N15NS3GATMA1 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 33 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 36 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 74 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS th) typ | — | 3.0 V |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55°C to +150°C (junction) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |