BSC0911NDATMA1 vs BSC360N15NS3GATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC0911NDATMA1 tarafından Infineon ve BSC360N15NS3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
BSC360N15NS3GATMA1 - 150V 36mOhm N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon
BSC360N15NS3GATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC0911NDATMA1 | BSC360N15NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 25V | — |
| Configuration | Dual N-Channel (2 N-CH) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 18 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 30 A | — |
| Power Dissipation (PD) | 1 W | — |
| Paket | PG-TISON-8 (8-PowerTDFN) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | -55C to +150C (junction) | — |
| Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Technology | OptiMOS trench MOSFET | OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) |
| Gate Threshold (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Part Number | — | BSC360N15NS3GATMA1 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 33 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 36 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 74 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS th) typ | — | 3.0 V |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55°C to +150°C (junction) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |