BSC0921NDIATMA1 vs BSF134N10NJ3GXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC0921NDIATMA1 بواسطة Infineon و BSF134N10NJ3GXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC0921NDIATMA1 BSF134N10NJ3GXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 25V (N-channel) Trench-gate OptiMOS planar
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array Single with built-in diode
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) 17 A (per channel) —
Pulsed Drain Current (IDM) 31 A (per channel, package-limited) —
Total Power Dissipation (PD) 1 W —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V] —
Gate Charge (Qg) Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) [DATA_NEEDED: Qg value]
Output Charge (Qoss) Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) —
العلبة PG-TISON-8 (8-pin, exposed pad) MG-WDSON-2 (CanPAK M)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (junction) —
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 (per Infineon OptiMOS family) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Primary Application Synchronous buck converters, VRMs, POL regulators —
Series — OptiMOS 100 V
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 9 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 40 A
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 2.2 W
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 43 W
Terminal Position — Bottom
Terminal Finish — Silver Nickel
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55°C to +150°C (TJ max) [DATA_NEEDED: exact Min/Max from datasheet]
RDS(on) at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max value]
Body Diode Reverse Recovery — [DATA_NEEDED: trr value]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر