BSC0921NDIATMA1 vs BSF134N10NJ3GXUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC0921NDIATMA1 tarafından Infineon ve BSF134N10NJ3GXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC0921NDIATMA1 BSF134N10NJ3GXUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 25V (N-channel) Trench-gate OptiMOS planar
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array Single with built-in diode
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) 17 A (per channel) —
Pulsed Drain Current (IDM) 31 A (per channel, package-limited) —
Total Power Dissipation (PD) 1 W —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V] —
Gate Charge (Qg) Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) [DATA_NEEDED: Qg value]
Output Charge (Qoss) Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) —
Paket PG-TISON-8 (8-pin, exposed pad) MG-WDSON-2 (CanPAK M)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -55C to +150C (junction) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (per Infineon OptiMOS family) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Primary Application Synchronous buck converters, VRMs, POL regulators —
Series — OptiMOS 100 V
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 9 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 40 A
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 2.2 W
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 43 W
Terminal Position — Bottom
Terminal Finish — Silver Nickel
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55°C to +150°C (TJ max) [DATA_NEEDED: exact Min/Max from datasheet]
RDS(on) at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max value]
Body Diode Reverse Recovery — [DATA_NEEDED: trr value]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin