BSC093N15NS5ATMA1 vs BSC036NE7NS3GATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC093N15NS5ATMA1 بواسطة Infineon و BSC036NE7NS3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
BSC036NE7NS3GATMA1 - 75V 100A N-Channel OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
BSC036NE7NS3GATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | BSC093N15NS5ATMA1 | BSC036NE7NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS 5 150V | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 87 A | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V | 9.3 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 139 W | — |
| العلبة | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7) | PG-TDSON-8-7 (5x6 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Drive Voltage (VGS) Recommended | 10 V | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55C to +175C |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | — |
| حالة RoHS | Compliant | ROHS3 Compliant |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 |
| خالٍ من الهالوجين | [DATA_NEEDED: halogen free status] | — |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 400 A |
| On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) | — | 3.6 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | 2.6 V |
| Total Gate Charge (Qg typ @ VGS=10V) | — | 45 nC |
| Rise Time (tr typ) | — | 13 ns |
| Fall Time (tf typ) | — | 11 ns |
| Power Dissipation (PD max, Tc=25C) | — | 156 W |
| Power Dissipation (Ta=25C) | — | 2.5 W |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | — | 0.8 C/W |