BSC093N15NS5ATMA1 vs BSC077N12NS3GATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC093N15NS5ATMA1 بواسطة Infineon و BSC077N12NS3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC093N15NS5ATMA1 BSC077N12NS3GATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 5 150V —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 87 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V 9.3 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC 139 W —
العلبة SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Voltage (VGS) Recommended 10 V —
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
خالٍ من الهالوجين [DATA_NEEDED: halogen free status] —
Part Family — OptiMOS 3 (120 V)
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench)
Drain-Source Voltage (VDS) — 120 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 13.4 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 98 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 7.7 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation (PD) at Tc — 139 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55C to +150C
عدد الأطراف — 8
Automotive Grade — Yes (per Infineon part number suffix / datasheet)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر