BSC093N15NS5ATMA1 vs BSC077N12NS3GATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC093N15NS5ATMA1 توسط Infineon و BSC077N12NS3GATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC093N15NS5ATMA1 BSC077N12NS3GATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 5 150V —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 87 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V 9.3 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC 139 W —
بسته‌بندی SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Voltage (VGS) Recommended 10 V —
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
بدون هالوژن [DATA_NEEDED: halogen free status] —
Part Family — OptiMOS 3 (120 V)
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench)
Drain-Source Voltage (VDS) — 120 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 13.4 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 98 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 7.7 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation (PD) at Tc — 139 W
دمای اتصال کاری — -55C to +150C
تعداد پایه — 8
Automotive Grade — Yes (per Infineon part number suffix / datasheet)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت