BSC097N06NSATMA1 vs IPD90N04S403ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC097N06NSATMA1 بواسطة Infineon و IPD90N04S403ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC097N06NSATMA1 IPD90N04S403ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 46 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C [DATA_NEEDED: ID at Ta=25C PCB-mounted] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM peak value] —
RDS(on) max at VGS=10 V 9.7 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25C 36 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +150C -55C to +175C
العلبة / الحالة PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (Trench) Trench MOSFET (OptiMOS-T2)
حالة RoHS Compliant —
مستوى MSL 1 (Unlimited) MSL1 (peak reflow up to 260C)
Avalanche Rated Yes (EAS per datasheet) —
Product Family — OptiMOS-T2
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 90 A
On-State Resistance (R_DS(on)) — 3.2 mOhm typical at V_GS = 10 V
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) — 94 W
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
العلبة — PG-TO252-3-313 (DPAK)
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
Avalanche Tested — 100% avalanche-tested
RoHS Compliance — Compliant (Green Package)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر