BSC118N10NSGATMA1 vs BSC070N10NS5ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC118N10NSGATMA1 بواسطة Infineon و BSC070N10NS5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC118N10NSGATMA1 | BSC070N10NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 2 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Mode | Enhancement (Normal Level) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 11 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 71 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 114 W | — |
| العلبة | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5x6 mm) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 C to +150 C | — |
| Technology | Trench MOSFET | OptiMOS 5 (N-channel trench) |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| JEDEC Qualification | Qualified per target application | — |
| Target Application | High-frequency SMPS, synchronous rectification | — |
| Gate Charge x RDS(on) FOM | Excellent (per datasheet) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 80 A |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 7 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: typical Qg] |
| Power Dissition at TC=25C (Ptot) | — | 83 W |
| Power Dissipation at TA=25C | — | 2.5 W |
| نطاق درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55 C to +150 C |
| مستوى MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Typical Application | — | Synchronous rectification in SMPS |