BSC118N10NSGATMA1 vs BSC070N10NS5ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC118N10NSGATMA1 tarafından Infineon ve BSC070N10NS5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC118N10NSGATMA1 | BSC070N10NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 2 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Mode | Enhancement (Normal Level) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 11 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 71 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 114 W | — |
| Paket | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5x6 mm) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 C to +150 C | — |
| Technology | Trench MOSFET | OptiMOS 5 (N-channel trench) |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Klorürsüz | Yes | — |
| JEDEC Qualification | Qualified per target application | — |
| Target Application | High-frequency SMPS, synchronous rectification | — |
| Gate Charge x RDS(on) FOM | Excellent (per datasheet) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 80 A |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 7 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: typical Qg] |
| Power Dissition at TC=25C (Ptot) | — | 83 W |
| Power Dissipation at TA=25C | — | 2.5 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı | — | -55 C to +150 C |
| MSL Seviyesi | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Typical Application | — | Synchronous rectification in SMPS |