BSC190N15NS3GATMA1 vs BSC520N15NS3G مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC190N15NS3GATMA1 بواسطة Infineon و BSC520N15NS3G بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC190N15NS3GATMA1 BSC520N15NS3G
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Technology OptiMOS 3 (N-Channel) OptiMOS 3 (trench-gate N-channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 50 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 19 mOhm —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 125 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +150 C —
العلبة PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant —
مستوى MSL 1 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC520N15NS3 G
Drain-Source Voltage (VDS) max — 150 V
Continuous Drain Current (ID) max at TC=25C — 21 A
On-Resistance RDS(on) max — 52 mΩ at VGS=10 V
Power Dissipation (Ptot) at TC=25C — 57 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55C to +150C
عدد الأطراف — 8
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
JEDEC Qualification — Qualified per JEDEC
Channel Type — N-Channel (normal level)
Typical Application — DC-DC conversion, synchronous rectification

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر