BSC190N15NS3GATMA1 vs BSC520N15NS3G مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC190N15NS3GATMA1 توسط Infineon و BSC520N15NS3G توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSC520N15NS3G BSC520N15NS3G - 150V N-Ch 21A OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC520N15NS3G - 150V N-Ch 21A OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC520N15NS3G ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC190N15NS3GATMA1 BSC520N15NS3G
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Technology OptiMOS 3 (N-Channel) OptiMOS 3 (trench-gate N-channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 50 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 19 mOhm —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 125 W —
محدوده دمای کاری -55 C to +150 C —
بسته‌بندی PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant —
سطح MSL 1 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC520N15NS3 G
Drain-Source Voltage (VDS) max — 150 V
Continuous Drain Current (ID) max at TC=25C — 21 A
On-Resistance RDS(on) max — 52 mΩ at VGS=10 V
Power Dissipation (Ptot) at TC=25C — 57 W
دمای اتصال کاری — -55C to +150C
تعداد پایه — 8
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
JEDEC Qualification — Qualified per JEDEC
Channel Type — N-Channel (normal level)
Typical Application — DC-DC conversion, synchronous rectification

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت