BSC265N10LSFGATMA1 vs BSC118N10NSGATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC265N10LSFGATMA1 بواسطة Infineon و BSC118N10NSGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC265N10LSFGATMA1 BSC118N10NSGATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 40 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 6.5 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 78 W —
Technology OptiMOS 2 (TrenchFET) Trench MOSFET
العلبة PG-TDSON-8-1 (TDSON-8) PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total at VGS=10V] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typical] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +150 C (junction) —
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Avalanche Rated Yes —
Series OptiMOS 2 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 2
Mode — Enhancement (Normal Level)
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 11 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 71 A
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 114 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 C to +150 C
Lead Plating — Pb-free
خالٍ من الهالوجين — Yes
JEDEC Qualification — Qualified per target application
Target Application — High-frequency SMPS, synchronous rectification
Gate Charge x RDS(on) FOM — Excellent (per datasheet)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر