BSC265N10LSFGATMA1 vs BSC118N10NSGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC265N10LSFGATMA1 tarafından Infineon ve BSC118N10NSGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC265N10LSFGATMA1 BSC118N10NSGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 40 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 6.5 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 78 W —
Technology OptiMOS 2 (TrenchFET) Trench MOSFET
Paket PG-TDSON-8-1 (TDSON-8) PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total at VGS=10V] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typical] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C (junction) —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Avalanche Rated Yes —
Series OptiMOS 2 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 2
Mode — Enhancement (Normal Level)
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 11 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 71 A
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 114 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +150 C
Lead Plating — Pb-free
Klorürsüz — Yes
JEDEC Qualification — Qualified per target application
Target Application — High-frequency SMPS, synchronous rectification
Gate Charge x RDS(on) FOM — Excellent (per datasheet)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin