BSL308CH6327XTSA1 vs BSP316PH6327XTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSL308CH6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSP316PH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSL308CH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS™ low-voltage power MOSFETs —
Configuration Complementary dual MOSFET (1 N-channel + 1 P-channel) —
العلبة PG-TSOP6-6 (TSOP-6, 6 pins) PG-SOT223-4 (TO-261-4)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V -100 V
Continuous Drain Current - N-channel (ID, N-ch) 2.3 A —
Continuous Drain Current - P-channel (ID, P-ch) 2 A —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-State Resistance N-channel (RDS(on) @ VGS=10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) N-ch] —
On-State Resistance P-channel (RDS(on) @ VGS=10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) P-ch] —
Total Gate Charge (Qg) 5 nC @ 10 V —
Input Capacitance (Ciss) 18 pF —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +150 °C -55 C to +150 C (junction)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Automotive Qualified Yes (per Infineon part-number suffix, automotive grade) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
خالٍ من الهالوجين Yes (per Infineon product family convention) —
FET Type — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -680 mA
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C — 1.8 W
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
عدد الدبابيس — 3 + thermal tab
Channel Mode — Enhancement
Technology — SIPMOS (P-channel MOSFET)
Packaging — Tape & Reel (H6327 suffix)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر