BSL308CH6327XTSA1 vs BSP316PH6327XTSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSL308CH6327XTSA1 توسط Infineon و BSP316PH6327XTSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 - 30V 2.3A Dual N/P MOSFET Array | Infineon

BSL308CH6327XTSA1 - 30V 2.3A Dual N/P MOSFET Array | Infineon

BSL308CH6327XTSA1 ✓ فعال
Infineon
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 - P-Ch 100V 680mA MOSFET | Infineon | SOT-223

BSP316PH6327XTSA1 - P-Ch 100V 680mA MOSFET | Infineon | SOT-223

BSP316PH6327XTSA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSL308CH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS™ low-voltage power MOSFETs —
Configuration Complementary dual MOSFET (1 N-channel + 1 P-channel) —
بسته‌بندی PG-TSOP6-6 (TSOP-6, 6 pins) PG-SOT223-4 (TO-261-4)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V -100 V
Continuous Drain Current - N-channel (ID, N-ch) 2.3 A —
Continuous Drain Current - P-channel (ID, P-ch) 2 A —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-State Resistance N-channel (RDS(on) @ VGS=10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) N-ch] —
On-State Resistance P-channel (RDS(on) @ VGS=10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) P-ch] —
Total Gate Charge (Qg) 5 nC @ 10 V —
Input Capacitance (Ciss) 18 pF —
محدوده دمای کاری -55 °C to +150 °C -55 C to +150 C (junction)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Automotive Qualified Yes (per Infineon part-number suffix, automotive grade) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
بدون هالوژن Yes (per Infineon product family convention) —
FET Type — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -680 mA
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C — 1.8 W
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
تعداد پین‌ها — 3 + thermal tab
Channel Mode — Enhancement
Technology — SIPMOS (P-channel MOSFET)
Packaging — Tape & Reel (H6327 suffix)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت