BSL308CH6327XTSA1 vs BSP88H6327XTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSL308CH6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSP88H6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSL308CH6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS™ low-voltage power MOSFETs —
Configuration Complementary dual MOSFET (1 N-channel + 1 P-channel) Single
العلبة PG-TSOP6-6 (TSOP-6, 6 pins) PG-SOT223-4 (SOT-223-3)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current - N-channel (ID, N-ch) 2.3 A —
Continuous Drain Current - P-channel (ID, P-ch) 2 A —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
On-State Resistance N-channel (RDS(on) @ VGS=10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) N-ch] —
On-State Resistance P-channel (RDS(on) @ VGS=10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) P-ch] —
Total Gate Charge (Qg) 5 nC @ 10 V [DATA_NEEDED: total gate charge]
Input Capacitance (Ciss) 18 pF [DATA_NEEDED: Ciss]
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +150 °C —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
Automotive Qualified Yes (per Infineon part-number suffix, automotive grade) —
حالة RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
خالٍ من الهالوجين Yes (per Infineon product family convention) —
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 240 V
Continuous Drain Current (ID) — 350 mA at Ta=25 C
Power Dissipation (PD) — 1.8 W at Ta=25 C
On-State Resistance (RDS(on)) — 6 ohm typical at VGS=10 V
درجة حرارة التشغيل — -55 C to +150 C
Technology — SIPMOS (planar enhancement mode)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
Drain Tab Connection — SOT-223 tab is drain

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر