BSL308CH6327XTSA1 vs BSP88H6327XTSA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSL308CH6327XTSA1 bằng Infineon và BSP88H6327XTSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSL308CH6327XTSA1 - 30V 2.3A Dual N/P MOSFET Array | Infineon
BSL308CH6327XTSA1 ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSL308CH6327XTSA1 | BSP88H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS™ low-voltage power MOSFETs | — |
| Configuration | Complementary dual MOSFET (1 N-channel + 1 P-channel) | Single |
| Hộp | PG-TSOP6-6 (TSOP-6, 6 pins) | PG-SOT223-4 (SOT-223-3) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current - N-channel (ID, N-ch) | 2.3 A | — |
| Continuous Drain Current - P-channel (ID, P-ch) | 2 A | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 500 mW | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] |
| On-State Resistance N-channel (RDS(on) @ VGS=10V) | [DATA_NEEDED: RDS(on) N-ch] | — |
| On-State Resistance P-channel (RDS(on) @ VGS=10V) | [DATA_NEEDED: RDS(on) P-ch] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 5 nC @ 10 V | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Input Capacitance (Ciss) | 18 pF | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 °C to +150 °C | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Automotive Qualified | Yes (per Infineon part-number suffix, automotive grade) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Đông trùng haogen | Yes (per Infineon product family convention) | — |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 240 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 350 mA at Ta=25 C |
| Power Dissipation (PD) | — | 1.8 W at Ta=25 C |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 6 ohm typical at VGS=10 V |
| Nhiệt độ hoạt động | — | -55 C to +150 C |
| Technology | — | SIPMOS (planar enhancement mode) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Lead Plating | — | Pb-free |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| Drain Tab Connection | — | SOT-223 tab is drain |