BSL308CH6327XTSA1 vs BSP88H6327XTSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSL308CH6327XTSA1 توسط Infineon و BSP88H6327XTSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 - 30V 2.3A Dual N/P MOSFET Array | Infineon

BSL308CH6327XTSA1 - 30V 2.3A Dual N/P MOSFET Array | Infineon

BSL308CH6327XTSA1 ✓ فعال
Infineon
BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1 - 240V N-Ch MOSFET 350mA SOT-223 | Infineon

BSP88H6327XTSA1 - 240V N-Ch MOSFET 350mA SOT-223 | Infineon

BSP88H6327XTSA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSL308CH6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS™ low-voltage power MOSFETs —
Configuration Complementary dual MOSFET (1 N-channel + 1 P-channel) Single
بسته‌بندی PG-TSOP6-6 (TSOP-6, 6 pins) PG-SOT223-4 (SOT-223-3)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current - N-channel (ID, N-ch) 2.3 A —
Continuous Drain Current - P-channel (ID, P-ch) 2 A —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
On-State Resistance N-channel (RDS(on) @ VGS=10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) N-ch] —
On-State Resistance P-channel (RDS(on) @ VGS=10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) P-ch] —
Total Gate Charge (Qg) 5 nC @ 10 V [DATA_NEEDED: total gate charge]
Input Capacitance (Ciss) 18 pF [DATA_NEEDED: Ciss]
محدوده دمای کاری -55 °C to +150 °C —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
Automotive Qualified Yes (per Infineon part-number suffix, automotive grade) —
وضعیت RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
بدون هالوژن Yes (per Infineon product family convention) —
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 240 V
Continuous Drain Current (ID) — 350 mA at Ta=25 C
Power Dissipation (PD) — 1.8 W at Ta=25 C
On-State Resistance (RDS(on)) — 6 ohm typical at VGS=10 V
دمای کاری — -55 C to +150 C
Technology — SIPMOS (planar enhancement mode)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
Drain Tab Connection — SOT-223 tab is drain

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت