BSO150N03MDGXUMA1 vs IRF8736PBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSO150N03MDGXUMA1 بواسطة Infineon و IRF8736PBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSO150N03MDGXUMA1 IRF8736PBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSO150N03MDGXUMA1 —
Product Type Dual N-Channel MOSFET Array —
Technology OptiMOS 3M (30V trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) max per channel 9.3 A —
On-State Resistance (RDS(on)) max 15 mOhm at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 1.0 V —
Power Dissipation (PD) max 1.4 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C -55°C to +150°C (junction)
العلبة PG-DSO-8 (SO-8 with exposed pad) SO-8 (8-SO)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 (unlimited) 1 (Unlimited)
حالة RoHS Compliant —
Channel Configuration Dual N-Channel (independent) —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=70°C — [DATA_NEEDED: ID at TA=70°C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 4.8 mΩ
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — 6.0 mΩ (typical)
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — Logic-level (optimized for 5 V drive)
Total Gate Charge Qg — 17 nC (typical)
Maximum Power Dissipation at TA=25°C — 2.5 W
RoHS / Lead-Free — Lead-Free, RoHS3 Compliant
Qualification Standard — JEDEC
Avalanche Rated — Yes (fully characterized avalanche voltage and current)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر