BSP135H6906XTSA1 vs BSP135H6327XTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSP135H6906XTSA1 بواسطة Infineon و BSP135H6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
BSP135H6906XTSA1 BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل BSP135H6906XTSA1 BSP135H6327XTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel Depletion Mode N-Channel, Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 120 mA —
RDS(on) Max at VGS=0V 45 Ohm —
Power Dissipation (PD) Max 1.8 W —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(off)) Depletion mode (normally-on) —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C -55C to +150C (junction, typical)
العلبة PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+tab) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 4 (3 leads + drain tab) —
Technology SIPMOS (planar high-voltage) SIPMOS (planar DMOS)
مستوى MSL 1 (unlimited) 1
حالة RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 (per datasheets.com parametric record) —
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSP135H6327XTSA1
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) — 120 mA
Power Dissipation (PD) — 1.8 W
On-Resistance RDS(on) max — 45 ohm at VGS = 0 V
On-Resistance RDS(on) — 25 ohm (typical, per digchip)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Operating Mode — Normally ON (depletion)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر