BSP135H6906XTSA1 vs BSP135H6327XTSA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSP135H6906XTSA1 द्वारा Infineon और BSP135H6327XTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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BSP135H6906XTSA1 BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 ✓ सक्रिय
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BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 - 600V N-Ch Depletion-Mode MOSFET | Infineon

BSP135H6327XTSA1 - 600V N-Ch Depletion-Mode MOSFET | Infineon

BSP135H6327XTSA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSP135H6906XTSA1 BSP135H6327XTSA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type N-Channel Depletion Mode N-Channel, Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 120 mA —
RDS(on) Max at VGS=0V 45 Ohm —
Power Dissipation (PD) Max 1.8 W —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(off)) Depletion mode (normally-on) —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +150C -55C to +150C (junction, typical)
पैकेज PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+tab) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
पिन काउंट 4 (3 leads + drain tab) —
Technology SIPMOS (planar high-voltage) SIPMOS (planar DMOS)
MSL स्तर 1 (unlimited) 1
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 (per datasheets.com parametric record) —
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSP135H6327XTSA1
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) — 120 mA
Power Dissipation (PD) — 1.8 W
On-Resistance RDS(on) max — 45 ohm at VGS = 0 V
On-Resistance RDS(on) — 25 ohm (typical, per digchip)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Operating Mode — Normally ON (depletion)

डेटाशीट और संसाधन

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