BSP149H6327XTSA1 vs BSS806NH6327XTSA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSP149H6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSS806NH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSP149H6327XTSA1 | BSS806NH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Transistor Polarity | N-Channel | — |
| Mode of Operation | Depletion Mode (normally ON) | — |
| Drain-Source Voltage VDS | 200 V | — |
| Continuous Drain Current ID | 660 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation PD | 1.8 W (Ta) | — |
| On-State Resistance RDS(on) | 1 ohm (typ) | — |
| Gate-Source Voltage VGS | [DATA_NEEDED: max VGS rating] | — |
| العلبة | PG-SOT223-4 (SOT-223-4) | PG-SOT23-3 (SOT-23-3) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -55 C to +150 C (Tj) | — |
| Technology | SIPMOS | OptiMOS 2 (trench MOSFET) |
| Channel Count | 1 | — |
| عدد الأطراف | 4 (G, D, S, tab) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (Pb-free plating) |
| Configuration | Single | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 2.3 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) | — | 57 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.8 V rated (logic level) |
| Gate Drive (recommended VGS) | — | 1.8 V to 10 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: typical Qg] |
| Power Dissipation (PD, Ta) | — | 500 mW |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 C to +150 C (junction) |
| مستوى MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |