BSP316PH6327XTSA1 vs BSL308CH6327XTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSP316PH6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSL308CH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSP316PH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type P-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -100 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -680 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C 1.8 W —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
العلبة PG-SOT223-4 (TO-261-4) PG-TSOP6-6 (TSOP-6, 6 pins)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +150 C (junction) -55 °C to +150 °C
عدد الدبابيس 3 + thermal tab —
Channel Mode Enhancement —
Technology SIPMOS (P-channel MOSFET) —
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Packaging Tape & Reel (H6327 suffix) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS™ low-voltage power MOSFETs
Configuration — Complementary dual MOSFET (1 N-channel + 1 P-channel)
Continuous Drain Current - N-channel (ID, N-ch) — 2.3 A
Continuous Drain Current - P-channel (ID, P-ch) — 2 A
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW
On-State Resistance N-channel (RDS(on) @ VGS=10V) — [DATA_NEEDED: RDS(on) N-ch]
On-State Resistance P-channel (RDS(on) @ VGS=10V) — [DATA_NEEDED: RDS(on) P-ch]
Total Gate Charge (Qg) — 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) — 18 pF
Automotive Qualified — Yes (per Infineon part-number suffix, automotive grade)
Lead-Free — Yes
خالٍ من الهالوجين — Yes (per Infineon product family convention)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر