BSP88H6327XTSA1 vs BSL308CH6327XTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSP88H6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSL308CH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSP88H6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V —
Continuous Drain Current (ID) 350 mA at Ta=25 C —
Power Dissipation (PD) 1.8 W at Ta=25 C —
العلبة PG-SOT223-4 (SOT-223-3) PG-TSOP6-6 (TSOP-6, 6 pins)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
On-State Resistance (RDS(on)) 6 ohm typical at VGS=10 V —
Configuration Single Complementary dual MOSFET (1 N-channel + 1 P-channel)
درجة حرارة التشغيل -55 C to +150 C —
Technology SIPMOS (planar enhancement mode) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] 18 pF
Drain Tab Connection SOT-223 tab is drain —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS™ low-voltage power MOSFETs
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current - N-channel (ID, N-ch) — 2.3 A
Continuous Drain Current - P-channel (ID, P-ch) — 2 A
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW
On-State Resistance N-channel (RDS(on) @ VGS=10V) — [DATA_NEEDED: RDS(on) N-ch]
On-State Resistance P-channel (RDS(on) @ VGS=10V) — [DATA_NEEDED: RDS(on) P-ch]
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 °C to +150 °C
Automotive Qualified — Yes (per Infineon part-number suffix, automotive grade)
حالة RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
خالٍ من الهالوجين — Yes (per Infineon product family convention)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر