BSP88H6327XTSA1 vs BSL308CH6327XTSA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSP88H6327XTSA1 bằng Infineon và BSL308CH6327XTSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSL308CH6327XTSA1 - 30V 2.3A Dual N/P MOSFET Array | Infineon
BSL308CH6327XTSA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSP88H6327XTSA1 | BSL308CH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 240 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 350 mA at Ta=25 C | — |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W at Ta=25 C | — |
| Hộp | PG-SOT223-4 (SOT-223-3) | PG-TSOP6-6 (TSOP-6, 6 pins) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 6 ohm typical at VGS=10 V | — |
| Configuration | Single | Complementary dual MOSFET (1 N-channel + 1 P-channel) |
| Nhiệt độ hoạt động | -55 C to +150 C | — |
| Technology | SIPMOS (planar enhancement mode) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | 5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | 18 pF |
| Drain Tab Connection | SOT-223 tab is drain | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS™ low-voltage power MOSFETs |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current - N-channel (ID, N-ch) | — | 2.3 A |
| Continuous Drain Current - P-channel (ID, P-ch) | — | 2 A |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | 500 mW |
| On-State Resistance N-channel (RDS(on) @ VGS=10V) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) N-ch] |
| On-State Resistance P-channel (RDS(on) @ VGS=10V) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) P-ch] |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55 °C to +150 °C |
| Automotive Qualified | — | Yes (per Infineon part-number suffix, automotive grade) |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Đông trùng haogen | — | Yes (per Infineon product family convention) |