BSP88H6327XTSA1 vs BSP89H6327XTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSP88H6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSP89H6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSP88H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET, enhancement mode
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V —
Continuous Drain Current (ID) 350 mA at Ta=25 C —
Power Dissipation (PD) 1.8 W at Ta=25 C —
العلبة PG-SOT223-4 (SOT-223-3) PG-SOT223-4 (SOT-223, 4-pin with tab)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
On-State Resistance (RDS(on)) 6 ohm typical at VGS=10 V —
Configuration Single —
درجة حرارة التشغيل -55 C to +150 C —
Technology SIPMOS (planar enhancement mode) SIPMOS (planar power MOS)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 (per ordering code H6327)
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Drain Tab Connection SOT-223 tab is drain —
Drain-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) — 240 V (VGS=0, ID=250 µA)
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 0.35 A
Total Power Dissipation (Ptot) at Ta=25°C — 1.8 W (on FR4 PCB, 6 cm² cooling area)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 6 Ω (typical)
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 °C to +150 °C (Tj)
Thermal Resistance Junction-Ambient (RthJA) — 70 K/W (6 cm² PCB)
Thermal Resistance Junction-Solder Point (RthJS) — 25 K/W
Logic-Level Gate Drive — Yes (logic-level compatible)
dv/dt Rated — Yes
ESD Protection — Internal gate-source Zener
حالة RoHS — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر